ASML
作為當下半導體企業中最為耀眼的明星，來自荷蘭的ASML自然吸引到了眾多目光的注意，但是在ASML的陰影之下，還是有其他企業在默默發力，時刻準備給于其致命一擊，來自日本的光刻機廠商尼康和佳能就是這樣的存在。
其實在ASML之前，尼康和佳能才是半導體市場上的領導者，兩者也合力拿下超過80%的市場份額。那麼這兩家日系半導體設備巨頭為何失敗呢？其中既有內因，也有外因。
尼康光刻機
在20世紀末，光刻機的波長達到了193納米，能夠制造的最大精度是65納米芯片。作為當時技術領先者的尼康和佳能開始攻關更為先進的157納米，但是作為後來者的ASML沒有足夠的技術以及資金來進行研發，只能另辟蹊徑。
林本堅提出浸潤式光刻法
此時另一個重要人物出現，那就是台積電的技術負責人林本堅。他提出的浸潤式光刻法是基于既有的193納米波長的基礎上，利用水來充當介質，利用折射的特性使得波長等效于134納米。借助浸潤式光刻技術，ASML一舉反超尼康、佳能所打造的干式157納米，成為新的技術領導者。
日系半導體廠商曾經統治業界
同時為了打壓當時如日中天的日系半導體廠商，美國通過《美日半導體協定》等手段強制要求日系半導體廠商共享技術以及市場，同時聯合IBM、英特爾等廠商組建EUV LLC聯盟并將技術轉交由ASML實現，而尼康和佳能則被排除在這個聯盟之外。多重打擊之下也使得尼康和佳能的市場份額不斷萎縮。
尼康、佳能光刻機需求暴增
但是ASML在成為全球最大的半導體設備廠商之后也逐漸失去了以往的謙遜，同時由于EUV技術受制于美國，因此也選擇了跟隨美方斷供的策略。此時的尼康和佳能也迎來了自己翻身的機會，根據日經新聞等多家媒體的報道，大量國產廠商開始轉向尼康和佳能這兩大半導體設備廠商，并開始替換ASML設備。而這對于ASML也是不小的打擊。
ASML光刻機
當年尼康和佳能被排除在EUV LLC聯盟之外，使得它們無法使用EUV技術，最終不得不走上另外的技術路線，如今看來反而使得它們不必受到美方的桎梏。尼康繼續在縮小波長的技術路徑上研發，并已經擁有使用ArF技術制造出7納米芯片的能力；佳能則另辟蹊徑，研制出納米壓印光刻（NIL）并達到5nm精度，繞過了EUV技術的封鎖。
佳能光刻機
如今隨著ASML無法自由供貨，尼康和佳能也迎來了翻身的最好機會。和ASML嚴重依賴美方技術不同，尼康和佳能的技術都是自主可控的，雖然在精度和良品率上距離ASML依然有所差距，但也是當下可行的解決方案。而尼康和佳能之所以一直堅持研發光刻機沒有放棄，也是為了有朝一日能夠「一雪前恥」，擊敗ASML奪回失去的市場地位。
「天下熙熙皆為利來，天下攘攘皆為利往」，尼康和佳能對抗ASML的背后依然是利益所在，而這也是我們可以利用的一點。當然相比尼康和佳能，扶持國產光刻機廠商依然是最為優先的選擇。但是在國產光刻機企業成長起來之前，尼康和佳能也給我們提供了在ASML之外的另一個選擇機會。
上海微電子光刻機
相反對于ASML來說則不是一個好消息，遵守斷供要求則意味著ASML將失去大量的市場份額，以及國內這個全球最大也是最重要的芯片需求地。尼康、佳能乃至于國產光刻機廠商也能通過不斷擴大市場份額來提高技術水平和實力，這也是ASML感嘆「中計」了的原因。
就像ASML取代尼康和佳能成為最大的半導體設備廠商一樣，當競爭進入下半場，究竟是尼康和佳能完成逆襲，還是國產企業漁翁得利？或許只有時間能給我們答案了。
